CVD设备

CVD设备

CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。

  • MOCVD

    MOCVD

    以Ⅲ族(Ⅱ族)元素的有机化合物和Ⅴ族(Ⅵ族)元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固..

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  • SiC外延设备

    SiC外延设备

    第三代宽紧带半导体SiC材料的同质外延生长。

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  • 平板PECVD

    平板PECVD

    主要应用于SiO2和SiNx材料的薄膜沉积生长,具有体积小、操作灵活等优点。其工作原理是在低压引入高频,采取电容耦合方式使工艺气体辉光放电,形成等离子体状态,产生大量的活..

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  • LPCVD

    LPCVD

    化学气相淀积是半导体集成电路制造的重要工序之一,主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生长。它是将原材料气体(或者液态源气化)用热能激活发生化学反应而在基片表面生成..

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  • 液相外延设备

    液相外延设备

    适用于Ⅲ-Ⅴ族(或Ⅱ-Ⅵ族)化合物材料的生长,如光电子器件制造过程中化合物半导体薄膜的液相外延生长,是光电子器件研制、生产的关键工艺装备。

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